全校师生：

        为进一步开拓教师和学生的研究方向，自动化工程学院拟定于2021年11月11日15:00的系列学术报告因疫情原因改为线上进行。线上会议室地址如下：（腾讯会议室）https://meeting.tencent.com/dm/hzLHxBYYXzIu会议ID：995 586 008欢迎广大师生踊跃参加。

学术报告（一）

        报告题目：压力诱导发光

        报告人：邹勃教授

        邹勃，博士，吉林大学教授，博士生导师，长江学者特聘教授，国家杰出青年科学基金获得者。入选爱思唯尔2020中国高被引学者。于1996年本科毕业于吉林大学，2002年于吉林大学获得博士学位。2001年8月至2002年8月，在德国明斯特大学做联合培养博士研究生。2003年2月至2005年12月在德国多特蒙德大学做博士后。2006年1月全职回国，任吉林大学教授。邹博士的研究集中于高压物理和高压化学领域。现任第1届亚洲高压科学技术理事会理事、中国化学会高压化学专业委员会副主任委员、中国化学会光化学专业委员会委员、中国物理学会高压物理专业委员会委员、中国感光学会光化学和光生物专业委员会委员。研究项目包括国家自然科学基金委员会国家杰出青年科学基金、重点项目和重大研究计划重点项目等。共发表包括Nature Commun, J Am Chem Soc和Angew Chem Int Ed等在内的SCI论文300余篇。

        报告简介：

传统的三维卤素钙钛矿材料的荧光强度仍然随着压力的升高而减弱，但少数低维卤素钙钛矿材料的荧光强度随着压力的升高而增强。卤素钙钛矿材料的维度越低，越容易产生自陷态激子。由于常压下电声子耦合强度弱，去自陷活化能低，大量自陷态激子很容易去自陷再次转变为自由激子而不能向基态辐射跃迁。我们利用压力来调控低维卤素钙钛矿材料中八面体骨架的扭曲程度，进而改善内部激子自陷态发光行为，在零维卤素钙钛矿材料Cs₄PbBr₆体系、一维有机无机杂化卤素钙钛矿材料C₄N₂H₁₄SnBr₄体系和二维卤素双钙钛矿(C₄H₁₂N)₄AgBiBr₈体系中，发现压力诱导发光现象。并在此基础上，我们提出了通过高压解决常压争论的学术设想，解决了Cs₄PbBr₆纳米晶绿光起源和Cs₂Na_0.4Ag_0.6InCl₆蓝光起源的争论。然而，高压可逆性极大地阻碍了这类材料的实际应用，我们提出通过构筑空间位阻提高相变势垒，将(C₈H₁₂N)₂PbCl₄和(C₅H₇N₂)₂ZnBr₄亮发光相截获至常压，为制备具有特定功能的化学材料提供了新思路和新方法。

学术报告（二）

        报告题目：农药传感器与检测装置

        报告人：闫旭博士

        闫旭，博士，吉林大学副教授，博士生导师，吉林大学唐敖庆青年学者，入选中科协青年托举工程。2017年6月于吉林大学获得博士学位。2015年11月至2016年12月，在美国华盛顿州立大学做联合培养博士研究生。2017年6月至2019年7月在吉林大学从事博士后研究，师从卢革宇教授和刘俊秋教授。闫旭博士的研究集中于农药检测装置与生物传感，至今在Biosensors & Bioelectronics、Analytical Chemistry、Sensors & Actuators B: Chemical等国际学术期刊发表学术论文60余篇，总引用3000余次，H-index为30，5篇论文进入ESI高被引。研究项目包括国家自然科学基金面上项目和青年科学基金项目等。

        报告简介：

        农药生物传感器具有操作便捷、响应迅速等优势，在食品安全监管、公共安全监测、健康医学筛查和农业信息领域等方面具有重要应用。针对农药检测灵敏度低和现场检测难两个关键问题，我们的研究工作集中在调控敏感材料微纳结构增强传感识别功能和转换功能的新策略，研制出超灵敏农药生物传感器，并研制出高通量、高稳定的便携式农药检测装置，为农药残留现场检测提供新方案。

学术报告（三）

        报告题目：GaAs基低维光电探测器

        报告人：魏志鹏

        魏志鹏：博士，教授，博士生导师，长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室副主任。吉林省有突出贡献中青年专家，吉林省拔尖创新人才第二层次，吉林省青年科技奖获得者。近年来主持国家自然科学基金3项、总装备部预研基金3项、省部级项目10项。获国防科学技术进步奖一等奖1项，吉林省科技进步奖一等奖1项、自然科学三等奖1项等科技奖励。研究工作围绕材料生长-器件制备-器件应用三个层次，重点针对材料外延的核心基础性研究工作，突破瓶颈技术，为GaAs基器件的实用化、纳米器件开发、中红外半导体激光器的应用起了推动作用。在Nano Letters, Advanced Materials，Nanoscale, ACS AMI, APL等期刊上发表论文50余篇。

        报告简介：

        随着半导体技术的发展，研究人员对半导体光电子器件的可集成性及功耗提出了更高的要求，使得低维光电子器件得到极大的关注。与传统材料相比，低维材料具有量子尺寸效应，可以得到高的量子效率和光响应特性，在未来的片上集成领域具有广阔的应用前景。我们采用分子束外延技术自催化生长GaAs纳米线，在此基础上制备了单根纳米线探测器；为提升纳米线探测器的响应性能，设计了GaAs/AlGaAs核壳量子阱结构，通过构建电子和空穴的高速传输通道，使探测器的响应度提升了近1个量级。利用应力诱发相变将纳米线中的纤锌矿部分转变为闪锌矿结构，得到纯相的GaAs纳米线，并实现了该纯相GaAs纳米线的雪崩探测。低维材料中表面态是降低其性能的重要原因，我们通过GaAs纳米线和GaAs二维薄片结合，将表面态转变为界面态，实现了响应度和响应速度的提升。通过将GaAs纳米线与双极性二维材料结合，调节栅压，实现了界面电场和金属肖脱基势垒的平衡，获得最佳的探测器性能和工作条件。我们的研究工作为GaAs基低维探测器在光电子器件集成中的应用奠定了基础。

自动化工程学院

2021年11月11日